Potencia nominal: 2-30 W;
Materiais de substrato: BeO, AlN, Al2O3
Valor de resistencia nominal: 100 Ω (10-3000 Ω opcional)
Tolerancia de resistencia: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Coeficiente de temperatura: <150 ppm/℃
Temperatura de funcionamento: -55~+150 ℃
Estándar ROHS: Cumpre coa normativa
Norma aplicable: Q/RFTYTR001-2022
| Poder (O) | Dimensión (unidade: mm) | Material do substrato | Configuración | Folla de datos (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 2 | 2.2 | 1.0 | 0,5 | N/D | 0,4 | BeO | Figura B | RFTXX-02CR1022B |
| 5.0 | 2.5 | 1,25 | N/D | 1.0 | AlN | Figura B | RFTXXN-02CR2550B | |
| 3.0 | 1.5 | 0,3 | 1.5 | 0,4 | AlN | FiguraC | RFTXXN-02CR1530C | |
| 6,5 | 3.0 | 1,00 | N/D | 0,6 | Al2O3 | Figura B | RFTXXA-02CR3065B | |
| 5 | 2.2 | 1.0 | 0,4 | 0,6 | 0,4 | BeO | FiguraC | RFTXX-05CR1022C |
| 3.0 | 1.5 | 0,3 | 1.5 | 0,38 | AlN | FiguraC | RFTXXN-05CR1530C | |
| 5.0 | 2.5 | 1,25 | N/D | 1.0 | BeO | Figura B | RFTXX-05CR2550B | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | BeO | FiguraC | RFTXX-05CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | N/D | 1.0 | BeO | FiguraW | RFTXX-05CR2550W | |
| 6,5 | 6,5 | 1.0 | N/D | 0,6 | Al2O3 | Figura B | RFTXXA-05CR6565B | |
| 10 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | N/D | 1.0 | AlN | Figura B | RFTXXN-10CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | N/D | 1.0 | BeO | Figura B | RFTXX-10CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | FiguraC | RFTXXN-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | FiguraC | RFTXX-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1,25 | N/D | 1.0 | BeO | FiguraW | RFTXX-10CR2550W | |
| 20 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | N/D | 1.0 | AlN | Figura B | RFTXXN-20CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | N/D | 1.0 | BeO | Figura B | RFTXX-20CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | FiguraC | RFTXXN-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | FiguraC | RFTXX-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1,25 | N/D | 1.0 | BeO | FiguraW | RFTXXN-20CR2550W | |
| 30 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | N/D | 1.0 | BeO | Figura B | RFTXX-30CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | FiguraC | RFTXX-30CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1,25 | N/D | 1.0 | BeO | FiguraW | RFTXXN-30CR2550W | |
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | FiguraC | RFTXX-30CR6363C | |
A resistencia de chip, tamén coñecida como resistencia de montaxe superficial, é unha resistencia amplamente utilizada en dispositivos electrónicos e placas de circuíto. A súa principal característica é que se instala directamente na placa de circuíto mediante tecnoloxía de montaxe superficial (SMD), sen necesidade de perforación nin soldadura de pines.
En comparación coas resistencias tradicionais, as resistencias de chip producidas pola nosa empresa teñen as características de menor tamaño e maior potencia, o que fai que o deseño das placas de circuíto sexa máis compacto.
Pódense usar equipos automatizados para a montaxe e as resistencias de chip teñen unha maior eficiencia de produción e pódense producir en grandes cantidades, o que as fai axeitadas para a fabricación a grande escala.
O proceso de fabricación ten unha alta repetibilidade, o que pode garantir a consistencia das especificacións e un bo control de calidade.
As resistencias en chip teñen unha inductancia e unha capacitancia menores, o que as fai excelentes na transmisión de sinais de alta frecuencia e en aplicacións de RF.
A conexión por soldadura das resistencias de chip é máis segura e menos susceptible á tensión mecánica, polo que a súa fiabilidade adoita ser maior que a das resistencias enchufables.
Amplamente utilizado en diversos dispositivos electrónicos e placas de circuítos, incluíndo dispositivos de comunicación, hardware informático, electrónica de consumo, electrónica automotriz, etc.
Ao seleccionar resistencias de chip, é necesario ter en conta especificacións como o valor da resistencia, a capacidade de disipación de potencia, a tolerancia, o coeficiente de temperatura e o tipo de empaquetado segundo os requisitos da aplicación.