Terminación dirixida

A terminación de chumbo é unha resistencia instalada ao final dun circuíto, que absorbe os sinais transmitidos no circuíto e impide a reflexión do sinal, afectando así a calidade de transmisión do sistema de circuítos. As terminacións dirixidas tamén se coñecen como resistencias de terminal de chumbo SMD. Está instalado ao final do circuíto mediante a soldadura. O principal propósito é absorber as ondas de sinal transmitidas ao final do circuíto, evitar que a reflexión do sinal afecte o circuíto e asegurar a calidade da transmisión do sistema de circuíto.

Especificacións técnicas principais:

Potencia nominal:5-800W

Materiais de substrato:BEO 、 aln 、 al2o3

Valor de resistencia nominal:50Ω

Tolerancia de resistencia:± 5%、 ± 2%、 ± 1%

Coeficiente de emperatura:＜ 150 ppm/℃

Temperatura de operación:-55 ～+150 ℃

Estándar ROHS:Cumprindo

Lonxitude de chumbo:L como se especifica na folla de datos

Deseño personalizado dispoñible a solicitude.:

Envíenos un correo electrónico sales@rftyt.com

Detalle do produto

Etiquetas de produto

Terminación dirixida

Terminación dirixida
Especificacións técnicas principais ：
Potencia nominal ： 5-800W ；
Materiais de substrato ： BEO 、 ALN 、 AL2O3
Valor de resistencia nominal ： 50Ω
Tolerancia de resistencia ： ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
Coeficiente de emperatura ：＜ 150 ppm/℃
Temperatura de operación ： -55 ～+150 ℃
Estándar ROHS: Cumpre con
Norma aplicable: Q/RFTYTR001-2022
Lonxitude do chumbo: l como se especifica na folla de datos
(pódese personalizar segundo as necesidades do cliente)

Poder(W)	Frecuencia	Dimensións (unidade: mm)						SubstratoMaterial	Folla de datos (PDF)
Poder(W)	Frecuencia	A	B	H	G	W	L	SubstratoMaterial	Folla de datos (PDF)
5W	6GHz	4.0	4.0	1.0	1.6	1.0	3.0	Al₂O₃	RFT50A-05TM0404
5W	11ghz	1.27	2.54	0,5	1.0	0,8	3.0	Aln	RFT50N-05TJ1225
10W	4GHz	2.5	5.0	1.0	1.9	1.0	4.0	Beo	RFT50-10TM2550
	6GHz	4.0	4.0	1.0	1.6	1.0	3.0	Al₂O₃	RFT50A-10TM0404
	8GHz	4.0	4.0	1.0	1.6	1.0	3.0	Beo	RFT50-10TM0404
	10GHz	5.0	3.5	1.0	1.9	1.0	3.0	Beo	RFT50-10TM5035
	18GHz	5.0	2.5	1.0	1.8	1.0	3.0	Beo	RFT50-10TM5023
20W	4GHz	2.5	5.0	1.0	1.9	1.0	4.0	Beo	RFT50-20TM2550
	6GHz	4.0	4.0	1.0	1.6	1.0	3.0	Al₂O₃	RFT50N-20TJ0404
	8GHz	4.0	4.0	1.0	1.6	1.0	3.0	Beo	RFT50-20TM0404
	10GHz	5.0	3.5	1.0	1.9	1.0	3.0	Beo	RFT50-20TM5035
	18GHz	5.0	2.5	1.0	1.8	1.0	3.0	Beo	RFT50-20TM5023
30W	6GHz	6.0	6.0	1.0	1.8	1.0	5.0	Aln	RFT50N-30TJ0606
30W	6GHz	6.0	6.0	1.0	1.8	1.0	5.0	Beo	RFT50-30TM0606
60W	6GHz	6.0	6.0	1.0	1.8	1.0	5.0	Aln	RFT50N-60TJ0606
		6.0	6.0	1.0	1.8	1.0	5.0	Beo	RFT50-60TM0606
		6.35	6.35	1.0	1.8	1.0	5.0	Beo	RFT50-60TJ6363
100W	3GHz	6.35	9.5	1.0	1.6	1.4	5.0	Aln	RFT50N-100TJ6395
		8.9	5.7	1.0	1.6	1.0	5.0	Aln	RFT50N-100TJ8957
		9.5	9.5	1.0	1.6	1.4	5.0	Beo	RFT50-100TJ9595
	4GHz	10.0	10.0	1.0	1.8	1.4	5.0	Beo	RFT50-100TJ1010
	6GHz	6.35	6.35	1.0	1.8	1.0	5.0	Beo	RFT50-100TJ6363
		8.9	5.7	1.0	1.6	1.0	5.0	Aln	RFT50N-100TJ8957B

	8GHz	9.0	6.0	1.5	2.0	1.0	5.0	Beo	RFT50-100TJ0906C
150W	3GHz	6.35	9.5	1.0	1.6	1.4	5.0	Aln	RFT50N-150TJ6395
	3GHz	9.5	9.5	1.0	1.6	1.4	5.0	Beo	RFT50-150TJ9595
	4GHz	10.0	10.0	1.0	1.8	1.4	5.0	Beo	RFT50-150TJ1010
	6GHz	10.0	10.0	1.0	1.8	1.4	5.0	Beo	RFT50-150TJ1010B
200W	3GHz	9.5	9.5	1.0	1.6	1.4	5.0	Beo	RFT50-200TJ9595
	3GHz
	4GHz	10.0	10.0	1.0	1.8	1.4	5.0	Beo	RFT50-200TJ1010
	10GHz	12.7	12.7	2.0	3.5	2.4	5.0	Beo	RFT50-200TM1313B
250W	3GHz	12.0	10.0	1.5	2.5	1.4	5.0	Beo	RFT50-250TM1210
250W	10GHz	12.7	12.7	2.0	3.5	2.4	5.0	Beo	RFT50-250TM1313B
300W	3GHz	12.0	10.0	1.5	2.5	1.4	5.0	Beo	RFT50-300TM1210
300W	10GHz	12.7	12.7	2.0	3.5	2.4	5.0	Beo	RFT50-300TM1313B
400W	2GHz	12.7	12.7	2.0	3.5	2.4	5.0	Beo	RFT50-400TM1313
500W	2GHz	12.7	12.7	2.0	3.5	2.4	5.0	Beo	RFT50-500TM1313
800W	1GHz	25.4	25.4	3.2	4	6	7	Beo	RFT50-800TM2525

Visión xeral

A terminación de chumbo faise seleccionando o tamaño e os materiais do substrato adecuados en función de diferentes requisitos de frecuencia e requisitos de enerxía, mediante resistencia, impresión de circuítos e sinterización. Os materiais de substrato de uso común poden ser principalmente óxido de berilio, nitruro de aluminio, óxido de aluminio ou mellores materiais de disipación de calor.

A terminación dirixida, dividida en proceso de película fina e un groso proceso de película. Está deseñado en base a requisitos específicos de potencia e frecuencia e, a continuación, procesados mediante proceso. Se tes necesidades especiais, póñase en contacto co noso persoal de vendas para ofrecer solucións específicas para a personalización.

Anterior: Terminación de bridas

Seguinte: Terminación do chip