-
Resistencia con chumbo RFTXX-10RM5025C Resistencia RF
Modelo RFTXX-10RM5025C Potencia 10 W Resistencia XX Ω~ (10-3000Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Capacitancia 1,8 PF@100Ω Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Cuberta AL2O3 Chumbo 99,99 % prata pura Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento dos compoñentes novos supere os 6 meses, ... -
Resistencia de chip RFTXXN-10CR2550C Resistencia de RF
Modelo RFTXXN-10CR2550C Potencia 10 W Resistencia XX Ω (10~3000Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato AlN Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do uso. Recoméndase... -
Resistencia de chip RFTXX-20CR2550C Resistencia de RF
Procedementos de montaxe suxeridos Desvalorización de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Uso Atención ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase almacenalas despois do envasado ao baleiro. ■Perforar vías térmicas a través da PCB e énchelas con soldadura. ■A soldadura por refluxo é preferible para a soldadura; consulte a curva de refluxo ■ Para cumprir os requisitos do debuxo, débese instalar un radiador de tamaño suficiente. ■ Se é necesario,... -
Resistencia de montaxe superficial RFTXX-30CR2550TA Resistencia RF
Modelo RFTXX-30CR2550TA Potencia 30 W Resistencia XX Ω (10~3000 Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase... -
Illador de banda ancha
Os illadores de banda ancha son compoñentes importantes nos sistemas de comunicación por radiofrecuencia, xa que ofrecen unha serie de vantaxes que os fan moi axeitados para diversas aplicacións. Estes illadores proporcionan cobertura de banda ancha para garantir un rendemento eficaz nun amplo rango de frecuencias. Coa súa capacidade de illar sinais, poden evitar interferencias de sinais fóra de banda e manter a integridade dos sinais dentro de banda. Unha das principais vantaxes dos illadores de banda ancha é o seu excelente rendemento de illamento. Illan eficazmente o sinal no extremo da antena, garantindo que o sinal no extremo da antena non se reflicta no sistema. Ao mesmo tempo, estes illadores teñen boas características de onda estacionaria no porto, o que reduce os sinais reflectidos e mantén unha transmisión de sinal estable.
Rango de frecuencia de 56 MHz a 40 GHz, ancho de banda ata 13,5 GHz.
Aplicacións militares, espaciais e comerciais.
Baixa perda de inserción, alto illamento, alta xestión de potencia.
Deseño personalizado dispoñible baixo petición.
-
Resistencia de montaxe superficial RFTXX-30CR6363C Resistencia RF
Modelo RFTXX-30CR6363C Potencia 30 W Resistencia XX Ω (10~3000 Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase... -
Resistencia de montaxe superficial RFTXX-30CR2550W Resistencia RF
Modelo RFTXX-30CR2550W Potencia 30 W Resistencia XX Ω (10~3000Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase... -
RFTXXN-02CR2550B, Resistencia de chip, Resistencia de RF
Modelo RFTXXN-02CR2550B Potencia 2 W Resistencia XX Ω (10~3000 Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato AlN Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase... -
Atenuador de microstrip con manga
Un atenuador de microstrip con manga refírese a un chip de atenuación de microstrip en espiral cun valor de atenuación específico inserido nun tubo circular metálico dun tamaño específico (o tubo xeralmente está feito de material de aluminio e require oxidación condutiva, e tamén se pode chapar con ouro ou prata segundo sexa necesario).
Deseño personalizado dispoñible baixo petición.
-
Resistencia de chip RFTXXA-02CR3065B Resistencia de RF
Modelo RFTXXA-02CR3065B Potencia 2 W Resistencia XX Ω (10~3000 Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato Al2O3 Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase... -
Resistencia de chip RFTXXN-05CR1530C Resistencia de RF
Modelo RFTXXN-05CR1530C Potencia 5 W Resistencia XX Ω ~(10~3000Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato AlN Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do uso. Recoméndase... -
Resistencia de chip RFTXX-05CR2550W Resistencia de RF
Modelo RFTXX-05CR2550W Potencia 5 W Resistencia XX Ω (10~3000Ω Personalizable) Tolerancia de resistencia ±5 % Coeficiente de temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Película grosa Temperatura de funcionamento De -55 a +150 °C (ver Redución de potencia) Procedementos de montaxe suxeridos Redución de potencia Perfil de refluxo N/P Designación Atención de uso ■ Despois de que o período de almacenamento das pezas recentemente adquiridas supere os 6 meses, débese prestar atención á soldabilidade antes do seu uso. Recoméndase...
